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示波器探头寄生电感过大,PEM线圈零寄生优化优势

作者:汇驰恒达 时间:2026-07-17 09:18:30点击:0次

信息摘要:

在SiC、GaN宽禁带器件高频测试中,普通示波器电流探头体积大、磁芯结构复杂,自带较大寄生电感与寄生电容,接入电路后会改变原回路高频特性,造成开关振荡异常、尖峰虚假超标、波形严重失真,导致工程师误判器件性能与损耗参数。英国PEM柔性罗氏线圈采用超细空芯绕制工艺,线圈本体寄生参数极低,不会对高频功率回路造成干扰

在SiC、GaN宽禁带器件高频测试中,普通示波器电流探头体积大、磁芯结构复杂,自带较大寄生电感与寄生电容,接入电路后会改变原回路高频特性,造成开关振荡异常、尖峰虚假超标、波形严重失真,导致工程师误判器件性能与损耗参数。


英国PEM柔性罗氏线圈采用超细空芯绕制工艺,线圈本体寄生参数极低,不会对高频功率回路造成干扰。测试时无需串联接入电路,纯非接触感应采集,不改变原电路拓扑、不影响开关振荡特性,解决传统示波器探头“测即改电路”的致命问题。


搭配高频示波器使用时,电压探头负责捕捉器件两端高压瞬态尖峰,PEM线圈捕捉真实开关电流,高低速信号同步匹配,精准还原SiC开通损耗、关断损耗、反向恢复电流,数据真实度远超普通示波器电流探头。


目前行业内SiC器件研发、高频电源拓扑调试、宽禁带实验室,均统一采用“示波器电压探头+PEM罗氏线圈”的标准测试组合。




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