PEM线圈精准采样，示波器高精度测算器件开关损耗

IGBT、SiC、GaN等宽禁带器件的开关损耗，是决定设备整机效率、温升、使用寿命的核心指标，高频工况下的开通损耗、关断损耗、反向恢复损耗，均需要依靠示波器精准测算。但普通电流探头的相位误差、幅值偏差，会直接导致损耗计算数据严重失真。

普通国产电流探头高频工况下频响漂移、相位偏移严重，电压、电流采样时序错位，示波器积分计算出的开关损耗、导通损耗与实际工况偏差极大，出现“理论优化达标、实际温升超标、效率上不去”的尴尬问题，无法支撑高频器件损耗精细化调试。

PEM罗氏线圈拥有全域超低相位误差、平直高频频响，可实现电流信号与电压信号精准时序同步，搭配示波器损耗测算功能，可精准还原器件单次开关周期的各类损耗数据，精准区分开通损耗、关断损耗、续流损耗，数据精度匹配宽禁带器件高频研发需求。

在高频开关电源、高频逆变、快充拓扑、新能源功率模块研发中，可精准量化器件损耗、优化开关频率、匹配缓冲电路，有效降低设备温升、提升整机转换效率，是高频损耗精细化测试的核心方案。